MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU36N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 29 A, HU3PAK de 7 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 600 unidades)*

2.277,00 €

(exc. IVA)

2.755,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
600 +3,795 €2.277,00 €

*precio indicativo

Código RS:
234-8897
Nº ref. fabric.:
STHU36N60DM6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HU3PAK

Serie

STHU36N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Disipación de potencia máxima Pd

210W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Probado al 100 % contra avalancha

Enlaces relacionados