MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N

Código RS:: 481-132
Nº ref. fabric.:: STHU60N046DM9AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N

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Código RS:: 481-132
Nº ref. fabric.:: STHU60N046DM9AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	54A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	STHU60
	Encapsulado	HU3PAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Configuración de transistor	Canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	11.9mm
	Altura	3.6mm
	Anchura	14.1 mm
	Certificaciones y estándares	AEC-Q101
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 54A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie STHU60
	Encapsulado HU3PAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Configuración de transistor Canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 11.9mm
	Altura 3.6mm
	Anchura 14.1 mm
	Certificaciones y estándares AEC-Q101
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - STHU60N046DM9AG

COO (País de Origen):: JP

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la avanzada tecnología MDmesh DM9 de superunión, diseñada para aplicaciones de media a alta tensión. Presenta una RDS(on) por área muy baja y un diodo de recuperación rápida integrado. La tecnología DM9 utiliza un proceso de fabricación multidrenaje para mejorar la estructura y el rendimiento del dispositivo. Con baja carga de recuperación (Qrr), rápido tiempo de recuperación (trr) y bajo RDS(on), este MOSFET de conmutación rápida es ideal para topologías de puente de alta eficiencia y convertidores de cambio de fase ZVS.

Baja carga de puerta y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Excelente rendimiento de conmutación gracias al pin de fuente de alimentación adicional

con cualificación AEC-Q101

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N

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