MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

11,12 €

(exc. IVA)

13,46 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 911,12 €
10 - 9910,01 €
100 +9,24 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
152-111
Nº ref. fabric.:
SCT060HU75G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±18 V

Tensión directa Vf

3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

14.1mm

Altura

3.6mm

Anchura

19 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

Enlaces relacionados