MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 719-466
- Nº ref. fabric.:
- SCT018HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-466
- Nº ref. fabric.:
- SCT018HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | Sct | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 2.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 388W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 19mm | |
| Altura | 3.6mm | |
| Anchura | 14.1 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie Sct | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 2.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 388W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 19mm | ||
Altura 3.6mm | ||
Anchura 14.1 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficacia
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