MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:
240-0608
Nº ref. fabric.:
STHU32N65DM6AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

HU3PAK

Serie

STH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

320W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

UL

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Probado al 100 % contra avalancha

Robustez dv/dt extrema

Protegido con Zener

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