MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines
- Código RS:
- 240-0608
- Nº ref. fabric.:
- STHU32N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 600 unidades)*
3.025,20 €
(exc. IVA)
3.660,60 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 600 + | 5,042 € | 3.025,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-0608
- Nº ref. fabric.:
- STHU32N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STH | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STH | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Probado al 100 % contra avalancha
Robustez dv/dt extrema
Protegido con Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET de potencia VDSS 1200 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET de potencia VDSS 1200 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics SCT019HU120G3AG ID 90 A, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET VDSS 600 V HU3PAK config. Canal N
- MOSFET VDSS 600 V HU3PAK config. Canal N
- MOSFET de potencia STMicroelectronics SCT027HU65G3AG ID 60 A, HU3PAK de 7 pines