MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:
215-242
Nº ref. fabric.:
SCT070HU120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

HU3PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

23W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

18.58mm

Anchura

14 mm

Altura

3.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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