Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU32N65DM6AG, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

Código RS:: 240-0609
Nº ref. fabric.:: STHU32N65DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU32N65DM6AG, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:: 240-0609
Nº ref. fabric.:: STHU32N65DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	STH
	Encapsulado	HU3PAK
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	45mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	52.6nC
	Tensión directa Vf	1.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	320W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	UL
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie STH
	Encapsulado HU3PAK
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52.6nC
	Tensión directa Vf 1.5V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 320W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares UL
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - STHU32N65DM6AG

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

Probado al 100 % contra avalancha

Robustez dv/dt extrema

Protegido con Zener

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU32N65DM6AG, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

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