STMicroelectronics, N-Canal SCT018HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 60 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 671-934
- Nº ref. fabric.:
- SCT018HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 671-934
- Nº ref. fabric.:
- SCT018HU65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 60 A | |
| Encapsulado | HU3PAK | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Altura | 5.15 mm | |
| Longitud | 35.9 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 21.5 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 388 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 82.5 nC | |
| Anchura | 15.75 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 60 A | ||
Encapsulado HU3PAK | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Altura 5.15 mm | ||
Longitud 35.9 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 21.5 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 388 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 82.5 nC | ||
Anchura 15.75 mm | ||
- COO (País de Origen):
- IT
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET de potencia STMicroelectronics SCT027HU65G3AG ID 60 A, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V N, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V HU3PAK config. Canal N
- MOSFET VDSS 650 V HU3PAK config. Canal N
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, HU3PAK de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 750 V HU3PAK, Mejora de 7 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, HU3PAK de 7 pines