MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines

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Código RS:
215-239
Nº ref. fabric.:
SCT060HU75G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

750 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

30 A

Encapsulado

HU3PAK

Modo de canal

Mejora

Número de pines

7

Tipo de montaje

Superficie

Serie

SCT

COO (País de Origen):
JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

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