MOSFET STMicroelectronics, N-Canal, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

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Código RS:
202-5480
Nº ref. fabric.:
SCTH100N65G2-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.02Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

2.8V

Disipación de potencia máxima Pd

360W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.8mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Altura

15.25mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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