MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTW100N65G2AG, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

26,78 €

(exc. IVA)

32,40 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 24 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 426,78 €
5 - 926,10 €
10 +25,45 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
202-5486
Nº ref. fabric.:
SCTW100N65G2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK

Serie

SCT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

162nC

Tensión directa Vf

2.8V

Disipación de potencia máxima Pd

420W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

15.75mm

Altura

34.95mm

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

Enlaces relacionados