Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 202-5486
Nº ref. fabric.:: SCTW100N65G2AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

33,70 €

(exc. IVA)

40,78 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	33,70 €
5 - 9	33,04 €
10 +	31,05 €

Código RS:: 202-5486
Nº ref. fabric.:: SCTW100N65G2AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTW100N65G2AG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	SCT
Tipo de Encapsulado	H2PAK-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,105 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1

Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

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