MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 100 unidades)*

1.274,80 €

(exc. IVA)

1.542,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 06 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
100 +12,748 €1.274,80 €

*precio indicativo

Código RS:
224-9997
Nº ref. fabric.:
SCTH35N65G2V-7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.25mm

Longitud

10.4mm

Anchura

4.8 mm

Estándar de automoción

No

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

Enlaces relacionados