MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- Código RS:
- 224-9997
- Nº ref. fabric.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 224-9997
- Nº ref. fabric.:
- SCTH35N65G2V-7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.25mm | |
| Anchura | 4.8mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.25mm | ||
Anchura 4.8mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia
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