MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
719-465
Nº ref. fabric.:
SCT018H65G3-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK-7

Serie

Sct

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

79.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Tensión directa Vf

2.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.8mm

Longitud

15.25mm

Anchura

10.4 mm

COO (País de Origen):
CN

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