MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 719-465
- Nº ref. fabric.:
- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Serie | Sct | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Tensión directa Vf | 2.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Serie Sct | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Tensión directa Vf 2.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Longitud 15.25mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN