STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGH30H65DFB-2AG, 30 A, 650 V, H2PAK-2 Orificio pasante

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

3,54 €

(exc. IVA)

4,28 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 460 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 43,54 €
5 - 93,37 €
10 - 243,04 €
25 - 492,72 €
50 +2,58 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
248-4894
Nº ref. fabric.:
STGH30H65DFB-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

260W

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.55V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.7mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

STGH30H65DFB

Longitud

10.4mm

Anchura

15.8 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El producto STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre la pérdida de conmutación y la conducción para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia. Además, el coeficiente de temperatura VCEsat ligeramente positivo y la distribución de parámetros muy estrecha resultan en un funcionamiento en paralelo más seguro.

Calificado AEC-Q101

Serie de conmutación de alta velocidad

Paralelización más segura

Distribución de parámetros estrecha

Baja resistencia térmica

Diodo antiparalelo de recuperación suave y muy rápida

Enlaces relacionados