MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH285N10F8-2AG, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3

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Código RS:
800-459
Nº ref. fabric.:
STH285N10F8-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

292A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

STH285N10F8-2AG

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

177nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

4V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Altura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Anchura

4.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.

Certificación AEC-Q101

175 °C de temperatura máxima de unión de funcionamiento

100 % a prueba de avalancha

Excelente FoM (cifra de mérito)

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