MOSFET STMicroelectronics STH175N4F6-2AG, VDSS 40 V, ID 120 A, H2PAK de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
876-5660
Nº ref. fabric.:
STH175N4F6-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Serie

STripFET F6

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10.4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

130 nC a 10 V

Ancho

9.17mm

Altura

4.8mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ F6 de canal N, STMicroelectronics


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Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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