MOSFET STMicroelectronics STP360N4F6, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
168-7116
Nº ref. fabric.:
STP360N4F6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

300 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

340 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
CN

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