MOSFET STMicroelectronics STP6N120K3, VDSS 1.200 V, ID 6 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1.200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

39 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Altura

14.9mm