MOSFET STMicroelectronics STP13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
791-7801
Nº ref. fabric.:
STP13NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

FDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

380 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

109 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Material del transistor

Si

Ancho

4.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24,5 nC a 10 V

Longitud

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

15.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics



Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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