MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 2 unidades)*

9,41 €

(exc. IVA)

11,386 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 578 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
2 - 184,705 €9,41 €
20 - 1984,23 €8,46 €
200 +3,895 €7,79 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-438
Nº ref. fabric.:
STH2N120K5-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

4.7mm

Longitud

15.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical propietaria. El resultado es una reducción dramática de la resistencia y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.

Con cualificación AEC Q101

RDS(on) x área más baja del sector

El mejor FoM del sector

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

Enlaces relacionados