MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

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Código RS:
151-438
Nº ref. fabric.:
STH2N120K5-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

15.8mm

Altura

4.7mm

Anchura

10.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical propietaria. El resultado es una reducción dramática de la resistencia y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.

Con cualificación AEC Q101

RDS(on) x área más baja del sector

El mejor FoM del sector

Carga de puerta ultrabaja

100 % a prueba de avalancha

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