MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH280N10F8-2, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- Código RS:
- 800-457
- Nº ref. fabric.:
- STH280N10F8-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 800-457
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 292A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STH280N10F8-2 | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 177nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.8mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 292A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STH280N10F8-2 | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 177nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.8mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.
175 °C de temperatura máxima de unión de funcionamiento
100 % a prueba de avalancha
Excelente FoM (cifra de mérito)
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