MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-2, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK-2 de 2 pines
- Código RS:
- 719-652
- Nº ref. fabric.:
- STH345N6F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 unidad)*
3,32 €
(exc. IVA)
4,02 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 + | 3,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 719-652
- Nº ref. fabric.:
- STH345N6F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 397A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Longitud | 9.3mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 397A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Longitud 9.3mm | ||
Altura 4.7mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Uno de los RDS(on) más bajos del mercado
Excelente FoM (cifra de mérito)
Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI
Alta robustez ante avalanchas
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, H2PAK-2 de 2 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, H2PAK de 6 pines
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia VDSS 1200 V Modo de mejora, H2PAK-2 de 3
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Modo de mejora, H2PAK de 3
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Modo de mejora, H2PAK de 3
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, H2PAK-7 de 7 pines