MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-2, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK-2 de 2 pines

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Código RS:
719-652
Nº ref. fabric.:
STH345N6F7-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

397A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

STH

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

230nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.3mm

Altura

4.7mm

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de trinchera mejorada que resulta en una resistencia de estado encendido muy baja, al tiempo que reduce la capacidad interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.

Uno de los RDS(on) más bajos del mercado

Excelente FoM (cifra de mérito)

Baja relación Crss/Ciss para inmunidad a EMI

Alta robustez ante avalanchas

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