MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STH345N6F7-2, VDSS 60 V, ID 397 A, Mejora, H2PAK-2 de 2 pines
- Código RS:
- 719-651
- Nº ref. fabric.:
- STH345N6F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 719-651
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 397A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 230nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.7mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 9.3mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 397A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 230nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.7mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 9.3mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN