MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

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Código RS:
234-8895
Nº ref. fabric.:
STH200N10WF7-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

STH200

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

93nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.

La mejor capacidad SOA de su clase

Capacidad de sobrecarga de corriente elevada

Resistencia a la conexión extremadamente baja

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