MOSFET STMicroelectronics STH270N8F7-2, VDSS 80 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-7106
Nº ref. fabric.:: STH270N8F7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STH270N8F7-2, VDSS 80 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

998 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

2,622 €

(exc. IVA)

3,173 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	2,622 €	2.622,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-7106
Nº ref. fabric.:: STH270N8F7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7, N-Channel 80V, 0.0017 Ohm typ., 180A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	STripFET H7
Tipo de Encapsulado	H2PAK-2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	21 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	315 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.4mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	15.8mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	193 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.8mm