MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

3.014,00 €

(exc. IVA)

3.647,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +3,014 €3.014,00 €

*precio indicativo

Código RS:
103-2012
Nº ref. fabric.:
STH3N150-2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Serie

MDmesh

Encapsulado

H2PAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Anchura

15.8 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados