MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-8819
Nº ref. fabric.:: STH150N10F7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

1,842 €

(exc. IVA)

2,229 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	1,842 €	1.842,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-8819
Nº ref. fabric.:: STH150N10F7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-2
Serie	DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	10.57mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	117 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.8mm