MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:
165-6593
Nº ref. fabric.:
STH310N10F7-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

H2PAK

Serie

STripFET H7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Disipación de potencia máxima Pd

315W

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.4 mm

Longitud

15.8mm

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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