Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.5 kV, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Código RS:: 792-5861
Nº ref. fabric.:: STH3N150-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.5 kV, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:: 792-5861
Nº ref. fabric.:: STH3N150-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1.5kV
	Encapsulado	H2PAK
	Serie	MDmesh
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	29.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd	140W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-30V, +30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.8mm
	Longitud	10.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	15.8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.5kV
	Encapsulado H2PAK
	Serie MDmesh
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd 140W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.8mm
	Longitud 10.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 15.8mm
	Estándar de automoción No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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