MOSFET de potencia STMicroelectronics, Canal N-Canal STH4N150-2AG, VDSS 1500 V, ID 2.6 A, H2PAK-2, MOSFET de 3 pines,

La imagen representada puede no ser la del producto

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

2.430,00 €

(exc. IVA)

2.940,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 31 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +2,43 €2.430,00 €

*precio indicativo

Código RS:
877-308
Nº ref. fabric.:
STH4N150-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Serie

STH4N150

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

MOSFET

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

MOSFET de canal N

Altura

15.8mm

Longitud

10.4mm

Anchura

4.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el PowerMESH tecnológica. Este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de tensión y robustez para el mercado de automoción.

Carga de puerta muy baja

100 % a prueba de avalancha

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.