MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines

Código RS:: 201-4415
Nº ref. fabric.:: SCT20N120H
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 02/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

9,747 €

(exc. IVA)

11,794 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	9,747 €	9.747,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 201-4415
Nº ref. fabric.:: SCT20N120H
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCT20N120H

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.

Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-2
Serie	SiC MOSFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,203 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	239V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	SiC

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines

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