MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

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Código RS:
201-4415
Nº ref. fabric.:
SCT20N120H
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SiC MOSFET

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

203mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

10.4mm

Anchura

4.7mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.8mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmicas.

Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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