MOSFET STMicroelectronics STH12N120K5-2, VDSS 1.200 V, ID 12 A, H2PAK-2 de 3 pines

Código RS:: 233-3041
Nº ref. fabric.:: STH12N120K5-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STH12N120K5-2, VDSS 1.200 V, ID 12 A, H2PAK-2 de 3 pines

957 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

10,08 €

(exc. IVA)

12,20 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	10,08 €
10 - 99	9,58 €
100 - 249	9,09 €
250 - 499	8,64 €
500 +	8,21 €

Código RS:: 233-3041
Nº ref. fabric.:: STH12N120K5-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - STH12N120K5-2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics están diseñados con tecnología MDmesh™ K5 basada en una estructura vertical patentada innovadora. El resultado es una reducción drástica de la resistencia de conexión y carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)
Carga de compuerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-2
Serie	STB37N60
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,69 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.9V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics STH12N120K5-2, VDSS 1.200 V, ID 12 A, H2PAK-2 de 3 pines

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