MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

10,99 €

(exc. IVA)

13,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 998 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 410,99 €
5 +10,67 €

*precio indicativo

Código RS:
482-977
Nº ref. fabric.:
SCT070H120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.25mm

Altura

10.4mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
IT
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

con cualificación AEC-Q101

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.