MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 30 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
482-977
Nº ref. fabric.:
SCT070H120G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

15.25mm

Altura

10.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
IT
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

con cualificación AEC-Q101

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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