MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

14,53 €

(exc. IVA)

17,58 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 994 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
1 - 414,53 €
5 - 913,81 €
10 - 2413,40 €
25 - 4913,07 €
50 +12,73 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-4222
Nº ref. fabric.:
SCTH40N120G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK

Serie

SCTH40N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

105mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Anchura

4.8 mm

Altura

15.25mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Certificación AEC-Q101

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Enlaces relacionados