MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 219-4222
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V-7
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

18,76 €

(exc. IVA)

22,70 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	18,76 €
5 - 9	17,82 €
10 - 24	16,03 €
25 - 49	14,43 €
50 +	13,71 €

Código RS:: 219-4222
Nº ref. fabric.:: SCTH40N120G2V-7
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTH40N120G2V-7

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Certificación AEC-Q101
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-7
Serie	SCTH40N
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,105 O
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines

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