MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 234-8896
- Nº ref. fabric.:
- STH200N10WF7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,68 €
(exc. IVA)
6,87 €
(inc.IVA)
Añade 15 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 880 unidad(es) más para enviar a partir del 03 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,68 € |
| 10 - 99 | 5,56 € |
| 100 - 249 | 5,45 € |
| 250 - 499 | 5,34 € |
| 500 + | 5,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-8896
- Nº ref. fabric.:
- STH200N10WF7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH200 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 93nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH200 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 93nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.
La mejor capacidad SOA de su clase
Capacidad de sobrecarga de corriente elevada
Resistencia a la conexión extremadamente baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1500 V Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, H2PAK de 7 pines