MOSFET STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines

Código RS:: 234-8896
Nº ref. fabric.:: STH200N10WF7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines

880 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

5,95 €

(exc. IVA)

7,20 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	5,95 €
10 - 99	5,82 €
100 - 249	5,71 €
250 - 499	5,59 €
500 +	5,49 €

Código RS:: 234-8896
Nº ref. fabric.:: STH200N10WF7-2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - STH200N10WF7-2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.

La mejor capacidad SOA de su clase
Capacidad de sobrecarga de corriente elevada
Resistencia a la conexión extremadamente baja

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	H2PAK-2
Serie	STH200
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V

MOSFET STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines

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