Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, N-Canal SCTH50N120-7, VDSS 1.2 kV, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
204-3954
Nº ref. fabric.:
SCTH50N120-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

1.2 kV

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

55 A

Encapsulado

H2PAK-7

Modo de canal

Mejora

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.065 Ω

Tipo de montaje

Superficie

Serie

SCTH50N120-7

COO (País de Origen):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.

Very tight variation of on-resistance vs.

temperature

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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