MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH60N120G2-7, VDSS 1.2 kV, ID 60 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
233-0471
Nº ref. fabric.:
SCTH60N120G2-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

1.2 kV

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

60 A

Encapsulado

H2PAK-7

Modo de canal

Mejora

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.052 Ω

Tipo de montaje

Superficie

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode.

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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