MOSFET Nexperia PSMN026-80YS,115, VDSS 80 V, ID 34 A, SOT-669 de 4 pines, config. Simple

Documentación Técnica (2)

Producto Descatalogado

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	SOT-669
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	42 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	74 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	20 nC a 10 V
Ancho	4.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C