MOSFET Nexperia PSMN026-80YS,115, VDSS 80 V, ID 34 A, SOT-669 de 4 pines, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
798-2861
Nº ref. fabric.:
PSMN026-80YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

SOT-669

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

42 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

74 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

4.1mm

Altura

1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia



Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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