MOSFET, N-Canal Nexperia PSMN012-60YS,115, VDSS 60 V, ID 59 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
798-2823
Nº ref. fabric.:
PSMN012-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Anchura

4.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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