MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN5R5-60YS,115, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
798-2996
Nº ref. fabric.:
PSMN5R5-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.1 mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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