MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
798-3028
Nº ref. fabric.:
PSMN7R0-60YS,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

89A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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