MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN0R9-25YLC,115, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Código RS:
798-2895
Nº ref. fabric.:
PSMN0R9-25YLC,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Disipación de potencia máxima Pd

272W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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