MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R2-25YLC,115, VDSS 25 V, ID 100 A, Mejora, SOT-669 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
798-2902
Nº ref. fabric.:
PSMN1R2-25YLC,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOT-669

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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