MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG, VDSS 20 V, ID 4 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
169-9285
Nº ref. fabric.:
TSM2310CX RFG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
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Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,6 nC a 10 V

Longitud

3.1mm

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.2mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor



Transistores MOSFET, Taiwan Semiconductor

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