MOSFET Taiwan Semiconductor TSM3457CX6 RFG, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-26 de 6 pines, config. Simple

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOT-26

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

1.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,52 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm