MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2302CX RFG, VDSS 20 V, ID 2,8 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 398-423
- Nº ref. fabric.:
- TSM2302CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 398-423
- Nº ref. fabric.:
- TSM2302CX RFG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 900 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +8 V | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,69 nC a 4,5 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 2,8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 65 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1.2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 900 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +8 V | ||
Longitud 3.05mm | ||
Ancho 1.4mm | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 3,69 nC a 4,5 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 0.95mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia de canal N, Taiwan Semiconductor
Transistores MOSFET, Taiwan Semiconductor
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