MOSFET onsemi 2N7002ET, VDSS 60 V, ID 260 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
690-0127
Nº ref. fabric.:
2N7002ET
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

260 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

2.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,81 nC a 5 V

Material del transistor

Si

Ancho

1.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

0.94mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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