MOSFET Infineon IRLML5103GTRPBF, VDSS 30 V, ID 760 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 165-5478
- Nº ref. fabric.:
- IRLML5103GTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
291,00 €
(exc. IVA)
351,00 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,097 € | 291,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5478
- Nº ref. fabric.:
- IRLML5103GTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 760 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 600 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 540 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Ancho | 1.4mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,4 nC a 10 V | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1.02mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 760 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 600 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 540 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Ancho 1.4mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 3,4 nC a 10 V | ||
Longitud 3.04mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1.02mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDN361BN ID 1 SOT-23 de 3 pines config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STT5N2VH5 ID 5 A config. Simple
- MOSFET Infineon IRFB23N15DPBF ID 23 A , config. Simple
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET onsemi 2N7002ET ID 260 mA , config. Simple
- MOSFET Infineon BSP129H6906XTSA1 ID 280 mA , config. Simple
- MOSFET Infineon IRF9540NSPBF ID 23 A config. Simple
