MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML5103TRPBF, VDSS 30 V, ID 760 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
302-038
Número de artículo Distrelec:
304-36-996
Nº ref. fabric.:
IRLML5103TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

760mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

540mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.4nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 760 mA, disipación de potencia máxima de 540 mW - IRLML5103TRPBF


Este MOSFET es un componente electrónico versátil adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia eficientes. Está diseñado para su uso en los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica, y ofrece una solución compacta para tareas de alto rendimiento. Su modo de canal de realce mejora la eficiencia operativa, convirtiéndolo en una elección popular en aplicaciones que requieren una funcionalidad MOSFET fiable.

Características y ventajas


• Encapsulado compacto SOT-23 adecuado para diseños con limitaciones de espacio

• Alta corriente de drenaje continua de 760 mA para una mayor durabilidad

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V para diversas aplicaciones

• La baja Rds(on) de 600mΩ minimiza la pérdida de potencia y aumenta la eficiencia

• La carga de puerta típica de 3,4nC reduce las pérdidas por conmutación

Aplicaciones


• Utilizado en soluciones de gestión y conversión de energía

• Adecuado para instalaciones de automatización industrial

• Ideal para diseños de fuentes de alimentación conmutadas

• Compatible con sistemas de gestión de baterías en dispositivos electrónicos

• Empleado en el control motor que requieren una conmutación de potencia eficiente

¿Cómo se comporta el MOSFET en entornos de alta temperatura?


Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, garantizando un rendimiento constante en condiciones difíciles.

¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?


Un bajo Rds(on) de 600mΩ reduce la pérdida de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global del sistema.

¿Puede utilizarse este MOSFET en diseños compactos?


Sí, el encapsulado SOT-23 permite la integración en aplicaciones compactas sin comprometer el rendimiento.

¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente que puede soportar este dispositivo?


Puede tolerar una tensión puerta-fuente máxima de ±20 V, lo que garantiza un funcionamiento seguro dentro de los límites especificados.

¿Cómo debe plantearse la instalación para obtener un rendimiento óptimo?


El manejo y la disposición correctos en la placa de circuito impreso son cruciales para garantizar una gestión térmica y una conectividad adecuadas para obtener resultados óptimos.

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