MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
913-4705
Nº ref. fabric.:
IRLML5203TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4 mm

Altura

1.02mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML5203TRPBF


Este MOSFET es un dispositivo de potencia de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en el sector de la electrónica. Con un encapsulado compacto SOT-23, este dispositivo de canal P proporciona una eficiencia significativa con una corriente de drenaje continua máxima de 3 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V. Con unas dimensiones de 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura, es idóneo para diseños con limitaciones de espacio.

Características y ventajas


• Capacidad de tensión de drenaje-fuente de 30 V para un uso versátil

• Diseñado para montaje en superficie para simplificar el diseño de la placa de circuito impreso

• Funciona a temperaturas comprendidas entre -55 °C y +150 °C

• Utiliza el modo de mejora para un rendimiento de conmutación fiable

Aplicaciones


• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para un rendimiento óptimo

• Se utiliza en electrónica portátil gracias a su diseño de bajo perfil

• Aplicado en soluciones de gestión de carga en varios dispositivos

• Adecuado para sistemas avanzados de control de automatización

¿Cuál es el significado de la baja Rds(on) en este dispositivo?


La baja Rds(on) garantiza una menor pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia global y mantiene niveles térmicos más bajos en las aplicaciones.

¿Cómo influye la capacidad de disipación de energía en el rendimiento del dispositivo?


La capacidad de disipar hasta 1,25 W permite una gestión eficaz del calor, lo que garantiza que el dispositivo funcione de forma fiable incluso en condiciones de carga máxima sin fallos térmicos.

¿Qué factores influyen en la selección de este MOSFET para una aplicación específica?


Deben tenerse en cuenta factores como la corriente de drenaje continua máxima, los valores nominales de tensión y las características térmicas para garantizar la compatibilidad con los requisitos del circuito y las expectativas de rendimiento.

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