MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 913-4705
- Nº ref. fabric.:
- IRLML5203TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 913-4705
- Nº ref. fabric.:
- IRLML5203TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 165mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 165mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3A, tensión de fuente de drenaje máxima de 30V - IRLML5203TRPBF
Este MOSFET es un dispositivo de potencia de alto rendimiento adecuado para diversas aplicaciones en el sector de la electrónica. Con un encapsulado compacto SOT-23, este dispositivo de canal P proporciona una eficiencia significativa con una corriente de drenaje continua máxima de 3 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V. Con unas dimensiones de 3,04 mm de longitud, 1,4 mm de anchura y 1,02 mm de altura, es idóneo para diseños con limitaciones de espacio.
Características y ventajas
• Capacidad de tensión de drenaje-fuente de 30 V para un uso versátil
• Diseñado para montaje en superficie para simplificar el diseño de la placa de circuito impreso
• Funciona a temperaturas comprendidas entre -55 °C y +150 °C
• Utiliza el modo de mejora para un rendimiento de conmutación fiable
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de gestión de baterías para un rendimiento óptimo
• Se utiliza en electrónica portátil gracias a su diseño de bajo perfil
• Aplicado en soluciones de gestión de carga en varios dispositivos
• Adecuado para sistemas avanzados de control de automatización
¿Cuál es el significado de la baja Rds(on) en este dispositivo?
La baja Rds(on) garantiza una menor pérdida de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia global y mantiene niveles térmicos más bajos en las aplicaciones.
¿Cómo influye la capacidad de disipación de energía en el rendimiento del dispositivo?
La capacidad de disipar hasta 1,25 W permite una gestión eficaz del calor, lo que garantiza que el dispositivo funcione de forma fiable incluso en condiciones de carga máxima sin fallos térmicos.
¿Qué factores influyen en la selección de este MOSFET para una aplicación específica?
Deben tenerse en cuenta factores como la corriente de drenaje continua máxima, los valores nominales de tensión y las características térmicas para garantizar la compatibilidad con los requisitos del circuito y las expectativas de rendimiento.
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